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부품번호SI2309CDS-T1-GE3
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타입로직 IC
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직류최신
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무연 상태RoHS 준수
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상태오리지널 100%
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애플리케이션전자 부품
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생산 소요 시간즉시 배송
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포장표준 포장
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작동 온도-45℃ + 125℃
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패키징트레이 상자
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원래 장소중국
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브랜드 이름Vishay Siliconix
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인증SI2309CDS-T1-GE3
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모델 번호SI2309CDS-T1-GE3
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최소 주문 수량1개
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가격contact us
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포장 세부 사항표준/신규/오리지널
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배달 시간1 일
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지불 조건L/C, D/A, D/P, T/T, GETs, NET1, 웨스턴 유니온
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공급 능력1000000pcs/일
스팟 SI2309CDS-T1-GE3 SOT23-3 MOS 전계 효과 튜브 Mosfet
장소 SI2309CDS-T1-GE3 SOT23-3 MOS 전계 효과 관 Mosfet
SI2309CDS-T1-GE3 |
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제조사
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비샤이 실아이코닉스
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제조 상품 번호
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SI2309CDS-T1-GE3
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기술
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MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
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제조 표준 생산 소요 시간
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50 주
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상세한 설명
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P-채널 60 Ｖ 1.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) 표면 부착 SOT-23-3 (TO-236)
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타입
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기술
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범주
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분리된 반도체 제품
트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다
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엠에프르
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비샤이 실아이코닉스
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시리즈
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TrenchFET®
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제품 상태
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활동가
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FET은 타이핑합니다
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P-채널
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기술
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MOSFET (금속 산화물)
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소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요
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60 Ｖ
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경향 - 25' Ｃ에 있는 연속배수 (Id)
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1.6A (Tc)
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구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다)
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4.5V, 10V
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Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds
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1.25A, 10V에 있는 345mOhm
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Id에 있는 Vgs(th) (맥스)
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250uA에 있는 3V
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게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다
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4.1 4.5 Ｖ에 있는 nC
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브그스 (맥스)
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±20V
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Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스)
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30 Ｖ에 있는 210 pF
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FET 특징
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전력 소모 (맥스)
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1W (Ta), 1.7W (Tc)
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작동 온도
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-55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
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증가하는 타입
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표면 부착
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공급자 소자 패키지
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SOT-23-3 (TO-236)
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패키지 / 건
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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베이스 상품 다수
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SI2309
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| 리소스 타입 | 링크 |
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| 데이터 시트 | SI2309CDS |
| 환경 정보 | |
| HTML 데이터 시트 | SI2309CDS |
| EDA 모델들 | 극단적 사서에 의한 SI2309CDS-T1-GE3 |
| 특성 | 기술 |
|---|---|
| 로에스 상태 | 순응한 ROHS3 |
| 습도 감지 수준 (MSL) | (제한 없는) 1 |
| 한계 상태 | 한계는 영향을 주지 않았습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| PAC1934T-I/J6CX | MICROCHIP/ | 22+ | WLCSP16 |
| SSM2529ACBZ-R7 | ADI | 22+ | WLCSP16 |
| FAN53526UC00X | ON | 22+ | WLCSP-15 |
| NX20P5090UKAZ | NXP | 22+ | WLCSP15 |
| NX20P5090UK | NXP | 22+ | WLCSP15 |
| STM32L4R9ZIY6PTR | STM | 22+ | WLCSP-144 |
| STM32F429ZIY6TR | 거리 | 22+ | WLCSP143 |
| RT9746HWSC | RICHTEK | 22+ | WL-CSP-12B |
| MX25R1635FBDIL0 | MXIC/ | 22+ | WLCSP-12 |
| MX25R6435FBDIL0 | MXIC | 22+ | WLCSP-12 |
| W25Q32JWBYIQ | 22+ | WLCSP12 | |
| NX5P3090UK | NXP | 22+ | WLCSP12 |
| TCC-303A-rt | ON/ | 22+ | WLCSP12 |
| STM32L496VGY6PTR | 거리 | 22+ | WLCSP100 |
| ADG884BCBZ-REEL7 | ADI | 22+ | WLCSP10 |
| EFC2K102ANUZTDG | ON | 22+ | WLCSP10 |
| SGM40661YG/TR | SGM | 22+ | WLCSP-1.30 |
| SGM6032-1.2YG/TR | SGMICRO() | 22+ | WLCSP-1.21 |
| P9222-3AZGI8 | 르네사스 | 22+ | WLCSP |
| PCMF1USB3S | NXP | 22+ | WLCSP |
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MC33202DR2G |
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디지키 부품번호
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MC33202DR2GOSTR-ND - 테이프 & 릴 (TR)
MC33202DR2GOSCT-ND - 컷 테이프 (CT)
MC33202DR2GOSDKDR-ND - Digi-Reel®
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제조사
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제조 상품 번호
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MC33202DR2G
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기술
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IC 오프엠프 GP 2 회로 8SOIC
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제조 표준 생산 소요 시간
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45 주
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상세한 설명
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다용도의 증폭기 2 회로 레일 투 레일 8-soic
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